Skriv ut sida
IRF60DM206
Power MOSFET, StrongIRFET™, N Channel, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRF60DM206
Orderkod2781110RL
ProduktsortimentStrongIRFET Series
Även kalladSP001561876
Tekniskt datablad
8 190 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Så långt lagret räcker
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 33,390 kr |
| 500+ | 11,570 kr |
| 1000+ | 10,550 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 500
Flera: 1
5 835,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRF60DM206
Orderkod2781110RL
ProduktsortimentStrongIRFET Series
Även kalladSP001561876
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source On State Resistance2900µohm
Transistor Case StyleDirectFET ME
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation96W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeStrongIRFET Series
Qualification-
Alternativ till IRF60DM206
1 produkt hittades
Produktöversikt
IRF60DM206 is a DirectFET® N-channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V (Min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 2.2mohm (typ, VGS = 10V, ID = 80A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 130A (max, ID at TC = 25°C)
- Gate-to-source forward leakage is 100nA/-100nA (max, VGS = 20V/VGS = -20V, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.8ohm (typ, TC = 25°C)
- Turn-on delay time is 17ns (typ, VDD = 30V, TJ = 25°C)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
130A
Transistor Case Style
DirectFET ME
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
StrongIRFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000256
Produktspårbarhet