Skriv ut sida
IRF540NPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRF540NPBF
Orderkod8648298
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001561906
Tekniskt datablad
81 288 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 11,640 kr |
| 10+ | 10,870 kr |
| 100+ | 6,610 kr |
| 500+ | 5,560 kr |
| 1000+ | 5,180 kr |
| 5000+ | 4,730 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
11,64 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRF540NPBF
Orderkod8648298
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001561906
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation130W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The IRF540NPBF is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in 3 pin TO-220AB package. It utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit combined with fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs which are well known for the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is 100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On-resistance Rds(on) of 44mohm at Vgs of 10V
- Power dissipation Pd of 130W at 25°C
- Continuous drain current Id of 33A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Tillämpningar
Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Teknisk dokumentation (3)
Alternativ till IRF540NPBF
1 produkt hittades
Tillhörande produkter
2 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.002712