Skriv ut sida
IPP60R070CFD7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, TO-220, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPP60R070CFD7XKSA1
Orderkod2807982
ProduktsortimentCoolMOS CFD7
Även kalladIPP60R070CFD7, SP001617976
Tekniskt datablad
141 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 59,430 kr |
| 10+ | 33,170 kr |
| 100+ | 29,600 kr |
| 500+ | 26,040 kr |
| 1000+ | 25,040 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
59,43 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPP60R070CFD7XKSA1
Orderkod2807982
ProduktsortimentCoolMOS CFD7
Även kalladIPP60R070CFD7, SP001617976
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
600V CoolMOS™ CFD7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in soft switching topologies optimized for phase-shift full bridge (ZVS), LLC applications server, telecom, EV Charging.
- Ultra-fast body diode
- Low gate charge
- Best-in-class reverse recovery charge(Qrr)
- Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness
- Excellent hard commutation ruggedness
- Highest reliability for resonant topologies
- Highest efficiency without standing ease-of-use/performance trade off
- Enabling increased power density solutions
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (1)
Alternativ till IPP60R070CFD7XKSA1
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.001
Produktspårbarhet