Skriv ut sida
IPP530N15N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-220, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPP530N15N3GXKSA1
Orderkod2212902
Även kalladIPP530N15N3 G, SP000521722
Tekniskt datablad
Tillverkas inte längre
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPP530N15N3GXKSA1
Orderkod2212902
Även kalladIPP530N15N3 G, SP000521722
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.053ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation68W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Produktöversikt
The IPP530N15N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated 2
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Normal level
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Tillämpningar
Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, Communications & Networking, Audio
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.053ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Teknisk dokumentation (2)
Tillhörande produkter
3 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.003184
Produktspårbarhet