Skriv ut sida
IPL65R070C7AUMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 28 A, 0.062 ohm, VSON, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPL65R070C7AUMA1
Orderkod2726062RL
ProduktsortimentCoolMOS C7
Även kalladIPL65R070C7, SP001032720
Tekniskt datablad
1 104 I Lager
Behöver du fler?
1–3 dagars leverans
Beställ före 17:00 för standardleverans
| Antal | |
|---|---|
| 10+ | 46,210 kr |
| 100+ | 39,690 kr |
| 500+ | 35,990 kr |
| 1000+ | 35,230 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Flera: 1
512,10 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPL65R070C7AUMA1
Orderkod2726062RL
ProduktsortimentCoolMOS C7
Även kalladIPL65R070C7, SP001032720
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.062ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation169W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
650V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) *Eoss and RDS(on)*Qg
- Thin PAK SMD package with very low parasitic inductance to enable fast and reliable switching
- Easy to use/drive due to driver source pin for better control of the gate
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Enabling higher frequency/increased power density solutions
- System cost/size savings due to reduced cooling requirements
- Higher system reliability due to lower operating temperatures
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
169W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
5Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 3 - 168 hours
Teknisk dokumentation (1)
Tillhörande produkter
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.004196