Skriv ut sida
IPL60R125C7AUMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPL60R125C7AUMA1
Orderkod2983364RL
ProduktsortimentCoolMOS C7
Även kalladIPL60R125C7, SP001385066
Tekniskt datablad
2 714 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 22,480 kr |
| 500+ | 19,030 kr |
| 1000+ | 17,810 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
2 298,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPL60R125C7AUMA1
Orderkod2983364RL
ProduktsortimentCoolMOS C7
Även kalladIPL60R125C7, SP001385066
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation103W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
Produktöversikt
IPL60R125C7AUMA1 is a 600V CoolMOS™ C7 power transistor. It is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. It combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Potential applications includes PFC stages and PWM stages (TTF,LLC) for high power/performance SMPS example computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 and JESD22)
- 4pin kelvin source concept
- Increased economies of scale by use in PFC and PWM topologies in the application
- Higher dv/dt limit enables faster switching leading to higher efficiency
- Enabling higher system efficiency by lower switching glosses
- Optimized PCB assembly and layout solutions
- Suitable for applications such as server, telecom and solar
- PG-VSON-4 package, operating junction temperature range from -40 to 150°C
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
103W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.001
Produktspårbarhet