Skriv ut sida
IPB020NE7N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPB020NE7N3GATMA1
Orderkod2443378
ProduktsortimentOptiMOS 3 Series
Även kalladIPB020NE7N3 G , SP000676950
Tekniskt datablad
129 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 52,200 kr |
| 10+ | 39,400 kr |
| 100+ | 31,500 kr |
| 500+ | 30,050 kr |
| 1000+ | 26,380 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
52,20 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPB020NE7N3GATMA1
Orderkod2443378
ProduktsortimentOptiMOS 3 Series
Även kalladIPB020NE7N3 G , SP000676950
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.002ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
Produktöversikt
The IPB020NE7N3 G is a N-channel Power MOSFET with OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest ON-state resistances and superior switching performance.
- Best switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Ideal for high frequency switching and DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Tillämpningar
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Communications & Networking, Automotive
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.002ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.00181
Produktspårbarhet