Skriv ut sida
IAUT240N08S5N019ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 240 A, 1900 µohm, HSOF, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IAUT240N08S5N019ATMA1
Orderkod2888478RL
ProduktsortimentOptiMOS 5 Series
Även kalladIAUT240N08S5N019, SP001685094
Tekniskt datablad
52 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 22,300 kr |
| 500+ | 20,670 kr |
| 1000+ | 18,710 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
2 280,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IAUT240N08S5N019ATMA1
Orderkod2888478RL
ProduktsortimentOptiMOS 5 Series
Även kalladIAUT240N08S5N019, SP001685094
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id240A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation230W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
- OptiMOS™-5 power-transistor
- N-channel - enhancement mode
- AEC qualified
- Ultra low Rds(on), 100% avalanche tested
- Continuous drain current is 240A (T C=25°C, V GS=10V)
- Avalanche current, single pulse is 240A (T j=25°C)
- Gate source voltage is ±20V (T j=25°C)
- Drain-source on-state resistance is 2.0mohm (typ, GS=6V, I D=60A)
- 80V drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- P/G-HSOF-8-1 package, operating and storage temperature range from -55 to +175°C
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
240A
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0001
Produktspårbarhet