Skriv ut sida
BSZ019N03LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 149 A, 1900 µohm, TSDSON-FL, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSZ019N03LSATMA1
Orderkod2443425RL
ProduktsortimentOptiMOS Series
Även kalladBSZ019N03LS, SP000792362
Tekniskt datablad
3 311 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 6,210 kr |
| 500+ | 5,720 kr |
| 1000+ | 5,690 kr |
| 5000+ | 5,430 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
671,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSZ019N03LSATMA1
Orderkod2443425RL
ProduktsortimentOptiMOS Series
Även kalladBSZ019N03LS, SP000792362
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id149A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StyleTSDSON-FL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
- OptiMOS™ power N-channel MOSFET
- Optimized for high performance buck converter(Server,VGA), very Low FOMQ OSS for high frequency SMPS
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- Excellent gate charge xRDS (on) product (FOM), very low on-resistance RDS(on) at VGS=4.5V
- 100% avalanche tested, superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 1.8K/W maximum thermal resistance, junction - case
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- 0.4 to 1.6ohm gate resistance range (Tj=25°C)
- PG-TSDSON-8 FL package, operating and storage temperature range from -55 to 150°C
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
149A
Transistor Case Style
TSDSON-FL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till BSZ019N03LSATMA1
7 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0003
Produktspårbarhet