Skriv ut sida
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSS84PH6327XTSA2
Orderkod1056526
ProduktsortimentSIPMOS Series
Även kalladBSS84P H6327, SP000929186
Tekniskt datablad
1 014 043 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Antal | |
---|---|
5+ | 2,350 kr |
10+ | 1,080 kr |
100+ | 0,811 kr |
500+ | 0,747 kr |
1000+ | 0,672 kr |
5000+ | 0,523 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flera: 5
11,75 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSS84PH6327XTSA2
Orderkod1056526
ProduktsortimentSIPMOS Series
Även kalladBSS84P H6327, SP000929186
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSIPMOS Series
QualificationAEC-Q101
MSL-
Produktöversikt
The BSS84P H6327 from Infineon is surface mount, P channel logic level enhancement mode SIPMOS small signal transistor in SOT-23 package. The device features dv/dt and Avalanche ratings.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -170mA
- Power dissipation (pd) of 360mW
- Operating temperature range -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 8ohm at Vgs -4.5V
Tillämpningar
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SIPMOS Series
MSL
-
Teknisk dokumentation (3)
Alternativ till BSS84PH6327XTSA2
4 produkter hittades
Tillhörande produkter
3 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000033