Skriv ut sida
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
4 834 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 3,000 kr |
| 500+ | 2,280 kr |
| 1500+ | 2,030 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
350,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareDIODES INC.
Tillverkarens art.nr.ZXMN10A07FTA
Orderkod3127502RL
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance0.7ohm
On Resistance Rds(on)0.54ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation625mW
Power Dissipation Pd625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
ZXMN10A07FTA is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include DC-DC converters, motor control, disconnect switches.
- Low on-resistance, low threshold
- Fast switching speed, low gate drive
- Drain-source voltage is 100V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 0.8A at VGS=10V, TA=+25°C, steady state
- Pulsed drain current is 3.5A at TA=+25°C
- Continuous source current (body diode) is 0.5A at TA=+25°C
- Pulsed source current (body diode) is 3.5A at TA=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.7ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
On Resistance Rds(on)
0.54ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till ZXMN10A07FTA
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000074
Produktspårbarhet