Skriv ut sida
ZVN2110A
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-226AA, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
4 018 I Lager
4 000 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 4,460 kr |
| 10+ | 4,200 kr |
| 100+ | 3,440 kr |
| 500+ | 3,180 kr |
| 1000+ | 2,870 kr |
| 5000+ | 2,820 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
4,46 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareDIODES INC.
Tillverkarens art.nr.ZVN2110A
Orderkod9525440
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id320mA
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
ZVN2110A is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source voltage is 100V
- Continuous drain current at Tamb=25° is 320mA
- Pulsed drain current is 6A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation at Tamb=25°C is 700mW
- Drain-source breakdown voltage is 100V min at ID=1mA, VGS=0V, Tamb=25°C
- Static drain-source on-state resistance is 4ohm max at VGS=10V, ID=1A, Tamb=25°C
- Turn-off delay time is 13ns max at VDD ≈25V, ID=1A, Tamb=25°C
- E-Line package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
320mA
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000166
Produktspårbarhet