Skriv ut sida
DMP4047LFDE-7
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 3.3 A, 0.033 ohm, UDFN2020, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
1 452 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 3,420 kr |
| 500+ | 2,710 kr |
| 1500+ | 2,370 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
392,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareDIODES INC.
Tillverkarens art.nr.DMP4047LFDE-7
Orderkod2543555RL
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id3.3A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleUDFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation700mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktöversikt
DMP4047LFDE-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include general-purpose interfacing switches, load switching and battery-management applications.
- 0.6mm profile – ideal for low profile applications, PCB footprint of 4mm²
- Low gate threshold voltage, low on-resistance
- Drain-source voltage is -40V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -3.3A at TA = +25°C, steady state, VGS = -10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -40A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.7W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 33mohm max at VGS = -10V, ID = -4.4A, TA = +25°C
- U-DFN2020-6 (type E) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.3A
Transistor Case Style
UDFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Tillhörande produkter
2 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.005
Produktspårbarhet