Skriv ut sida
1 407 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 957,230 kr |
| 5+ | 866,080 kr |
| 10+ | 774,820 kr |
| 50+ | 759,350 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
957,23 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareWOLFSPEED
Tillverkarens art.nr.C3M0016120K
Orderkod3212276
ProduktsortimentC3M
Tekniskt datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id115A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0223ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation556W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeC3M
SVHCTo Be Advised
Produktöversikt
C3M0016120K is a C3M™MOSFET technology N-Channel enhancement mode silicon carbide power MOSFET. Application includes solar inverters, EV motor drive, high voltage DC/DC converters, switched mode power supplies, load switch.
- 3rd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 0.31inch of creepage distance between drain and source, high blocking voltage with low on-resistance
- High-speed switching with low capacitances, fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Reduce switching losses and minimize gate ringing, higher system efficiency
- Reduce cooling requirements, increase power density
- Increase system switching frequency
- 1200V drain - source voltage (VGS = 0V, ID = 100μA)
- 115A continuous drain current (VGS = 15V, TC = 25˚C)
- 16mohm drain-source on-state resistance (VGS = 15V, ID = 75A)
- TO 247-4 package, operating junction and storage temperature range from -40 to +175˚C
Tekniska specifikationer
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
115A
Drain Source On State Resistance
0.0223ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
556W
Product Range
C3M
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till C3M0016120K
3 produkter hittades
Tillhörande produkter
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.008673