Skriv ut sida
WG25R135W1Q
IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pins
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
239 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 23,400 kr |
| 10+ | 21,070 kr |
| 100+ | 16,960 kr |
| 500+ | 15,520 kr |
| 1000+ | 13,970 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
23,40 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareWEEN SEMICONDUCTORS
Tillverkarens art.nr.WG25R135W1Q
Orderkod4697767
Tekniskt datablad
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation300W
Collector Emitter Voltage Max1.35kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
WG25R135W1Q is an IGBT. It uses advanced Fine Trench Field-stop technology IGBT with monolithic body diode. This device is part of reverse-conducting of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency for soft commutation. Typical applications include microwave ovens, induction heating, resonant converters, soft switching applications.
- Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
- Low conduction losses, EMI improved design
- Positive temperature efficient for easy parallel operating
- Collector-emitter breakdown voltage is 1350V min at VGE = 0V; IC = 1mA
- Diode forward voltage is 2.1V typ at VGE = 0V; IF = 25A; Tj = 25°C
- Zero gate voltage collector current is 100μA max at VCE = 1350V; VGE = 0V; Tj = 25°C
- Gate charge is 98nC typ at VCC = 1080V; IC = 25A; VGE = 15V;Tj = 25°C
- Turn-off delay time is 89nS typ at Tj=25°C, IC=25A, VGE=15V / 0V, RG=10 ohm, Cr=300nF, R=2ohm
- TO247 package
- Maximum operating junction temperature is 175°C
Tekniska specifikationer
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
300W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Collector Emitter Voltage Max
1.35kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Väntar på råd
RoHS-kompatibel för ftalater:Väntar på råd
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000001