Skriv ut sida
TSFF5210-CS12
Infrared Emitter, High Speed, 870 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
9 307 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Så långt lagret räcker
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 15,020 kr |
| 10+ | 10,700 kr |
| 25+ | 10,540 kr |
| 50+ | 10,370 kr |
| 100+ | 7,780 kr |
| 500+ | 6,660 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
15,02 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.TSFF5210-CS12
Orderkod2251305
Tekniskt datablad
Peak Wavelength870nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)180mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max-
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
Produktöversikt
870nm, GaAlAs double hetero high speed infrared emitting diode. It is suitable for use in Infrared video data transmission between camcorder and TV set, free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements and smoke-automatic fire detectors.
- Package form: T-1 3/4
- Leads with stand-off
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: = ± 10°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- High modulation bandwidth: fc = 24MHz
- Good spectral matching with Si photodetectors
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Peak Wavelength
870nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
180mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
-
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
Teknisk dokumentation (2)
Tillhörande produkter
2 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.00035