Skriv ut sida
SQJ940EP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
13 961 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 19,250 kr |
| 10+ | 12,350 kr |
| 100+ | 8,300 kr |
| 500+ | 6,070 kr |
| 1000+ | 5,580 kr |
| 5000+ | 4,650 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
19,25 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SQJ940EP-T1_GE3
Orderkod2364124
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel15A
Continuous Drain Current Id P Channel15A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0133ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0133ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Produktöversikt
The SQJ940EP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Tillämpningar
Industrial, Automotive, Power Management
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
15A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0133ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
15A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0133ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.002
Produktspårbarhet