Skriv ut sida
SIZ260DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIZ260DT-T1-GE3
Orderkod3280637RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV Series
Tekniskt datablad
29 958 I Lager
18 000 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 8,040 kr |
| 500+ | 6,330 kr |
| 1500+ | 5,800 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
854,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIZ260DT-T1-GE3
Orderkod3280637RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV Series
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id N Channel24.7A
Continuous Drain Current Id P Channel24.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0204ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0204ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id P Channel
24.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0204ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
24.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0204ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Taiwan
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Taiwan
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000123
Produktspårbarhet