Skriv ut sida
SISF02DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SISF02DN-T1-GE3
Orderkod3128861
ProduktsortimentTrenchFET Series
Tekniskt datablad
1 010 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 18,140 kr |
| 10+ | 11,240 kr |
| 100+ | 8,060 kr |
| 500+ | 7,820 kr |
| 1000+ | 7,110 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
18,14 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SISF02DN-T1-GE3
Orderkod3128861
ProduktsortimentTrenchFET Series
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0027ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0027ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel69.4W
Power Dissipation P Channel69.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktöversikt
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0027ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
69.4W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0027ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.015
Produktspårbarhet