Skriv ut sida
SIA931DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
257 315 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | 7,610 kr |
| 10+ | 4,710 kr |
| 100+ | 3,040 kr |
| 500+ | 2,150 kr |
| 1000+ | 1,920 kr |
| 5000+ | 1,650 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flera: 5
38,05 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SIA931DJ-T1-GE3
Orderkod2400374
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.052ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.052ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The SIA931DJ-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for battery and load switch, DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® gen III power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint
- Low ON-resistance
- 100% Rg tested
Tillämpningar
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.052ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.052ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Israel
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Israel
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.002