Skriv ut sida
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
9 175 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Antal | |
---|---|
1+ | 19,140 kr |
10+ | 13,910 kr |
100+ | 10,410 kr |
500+ | 8,420 kr |
1000+ | 7,970 kr |
5000+ | 7,350 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
19,14 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SI7938DP-T1-GE3
Orderkod1853789
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0048ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.5W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktöversikt
The SI7938DP-T1-GE3 is a 40V Dual N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Tillämpningar
Power Management
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0048ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
3.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000411
Produktspårbarhet