Skriv ut sida
SI7252ADP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SI7252ADP-T1-GE3
Orderkod3650268
ProduktsortimentTrenchFET Series
Tekniskt datablad
7 077 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 25,710 kr |
| 10+ | 16,470 kr |
| 100+ | 11,130 kr |
| 500+ | 9,320 kr |
| 1000+ | 8,200 kr |
| 5000+ | 7,580 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
25,71 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SI7252ADP-T1-GE3
Orderkod3650268
ProduktsortimentTrenchFET Series
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel28.7A
Continuous Drain Current Id P Channel28.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0155ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0155ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33.8W
Power Dissipation P Channel33.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
28.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0155ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33.8W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
28.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0155ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
33.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SI7252ADP-T1-GE3
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Israel
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Israel
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.004536
Produktspårbarhet