Skriv ut sida
SI4816BDY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
761 I Lager
2 500 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 25,260 kr |
| 10+ | 16,030 kr |
| 100+ | 11,070 kr |
| 500+ | 8,840 kr |
| 1000+ | 8,200 kr |
| 5000+ | 7,940 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
25,26 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SI4816BDY-T1-GE3
Orderkod2101479
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel5.8A
Continuous Drain Current Id P Channel5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0155ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0155ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The SI4816BDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with Schottky diode housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- LITTLE FOOT® Plus power MOSFET
- 100% Rg tested
Tillämpningar
Industrial, Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0155ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0155ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till SI4816BDY-T1-GE3
1 produkt hittades
Tillhörande produkter
3 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000147
Produktspårbarhet