Skriv ut sida
BPW85B
Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 (3mm)
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
4 900 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 7,620 kr |
| 10+ | 4,900 kr |
| 25+ | 4,510 kr |
| 50+ | 4,120 kr |
| 100+ | 3,730 kr |
| 500+ | 3,180 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
7,62 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktöversikt
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-1 plastic package
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ± 25°
- 4mA maximum collector light current at Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
Tekniska specifikationer
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 (3mm)
Automotive Qualification Standard
-
Viewing Angle
25°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000171
Produktspårbarhet