Skriv ut sida
SSM6N57NU,LF(T
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareTOSHIBA
Tillverkarens art.nr.SSM6N57NU,LF(T
Orderkod3872306RL
Även kalladSSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
Tekniskt datablad
45 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 2,640 kr |
| 500+ | 2,170 kr |
| 1000+ | 1,950 kr |
| 5000+ | 1,400 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
314,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareTOSHIBA
Tillverkarens art.nr.SSM6N57NU,LF(T
Orderkod3872306RL
Även kalladSSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.03ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.03ohm
Transistor Case StyleSOT-1118
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.03ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.03ohm
Transistor Case Style
SOT-1118
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Thailand
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Thailand
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000001
Produktspårbarhet