Skriv ut sida
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
529 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Antal | |
---|---|
100+ | 5,530 kr |
500+ | 4,380 kr |
1000+ | 3,900 kr |
5000+ | 3,190 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
603,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareTEXAS INSTRUMENTS
Tillverkarens art.nr.CSD25402Q3A
Orderkod3125070RL
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.0077ohm
Drain Source On State Resistance0.0077ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation69W
Power Dissipation Pd69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
Produktöversikt
The CSD25402Q3A is a NexFET™ P-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion load management applications. It has a 3.3 × 3.3mm package that offers an excellent thermal performance for the size of the device.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Low RDS (ON)
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Tillämpningar
Power Management, Safety, Industrial
Tekniska specifikationer
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0077ohm
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
69W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.0077ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation Pd
69W
Operating Temperature Max
125°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000091
Produktspårbarhet