Skriv ut sida
CSD23202W10T
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
672 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 4,720 kr |
| 500+ | 3,440 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
522,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareTEXAS INSTRUMENTS
Tillverkarens art.nr.CSD23202W10T
Orderkod3125067RL
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id2.2A
On Resistance Rds(on)0.044ohm
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleDSBGA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktöversikt
The CSD23202W10T is a NexFET™ P-channel Power MOSFET designed to deliver the lowest ON-resistance and gate charge in a small 1 × 1mm outline. It has excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low profile 0.62mm height
- 3kV Gate ESD protection
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Tillämpningar
Power Management, Safety, Industrial
Tekniska specifikationer
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.044ohm
Transistor Case Style
DSBGA
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0005
Produktspårbarhet