Skriv ut sida
TQM150NB04DCR RLG
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareTAIWAN SEMICONDUCTOR
Tillverkarens art.nr.TQM150NB04DCR RLG
Orderkod3773033RL
Tekniskt datablad
4 285 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 15,490 kr |
| 500+ | 14,040 kr |
| 1000+ | 12,590 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
1 599,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareTAIWAN SEMICONDUCTOR
Tillverkarens art.nr.TQM150NB04DCR RLG
Orderkod3773033RL
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel39A
Continuous Drain Current Id P Channel39A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0103ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0103ohm
Transistor Case StylePDFN56U
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
39A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0103ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
39A
Continuous Drain Current Id N Channel
39A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0103ohm
Transistor Case Style
PDFN56U
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Taiwan
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Taiwan
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0004
Produktspårbarhet