Skriv ut sida
STS8DN6LF6AG
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.021 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
1 834 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 9,320 kr |
| 500+ | 7,410 kr |
| 1000+ | 6,840 kr |
| 5000+ | 6,800 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
982,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STS8DN6LF6AG
Orderkod3129917RL
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id8A
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.2W
Power Dissipation P Channel3.2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.2W
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.00035
Produktspårbarhet