Skriv ut sida
SCTH35N65G2V-7AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.SCTH35N65G2V-7AG
Orderkod3764233RL
Tekniskt datablad
937 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 10+ | 110,560 kr |
| 50+ | 101,760 kr |
| 100+ | 87,940 kr |
| 250+ | 85,260 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Flera: 1
1 155,60 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.SCTH35N65G2V-7AG
Orderkod3764233RL
Tekniskt datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation Pd208W
Power Dissipation208W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniska specifikationer
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation
208W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
208W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.00154
Produktspårbarhet