Skriv ut sida
SCT30N120
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
834 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 212,350 kr |
| 5+ | 183,300 kr |
| 10+ | 154,140 kr |
| 50+ | 153,810 kr |
| 100+ | 153,580 kr |
| 250+ | 153,250 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
212,35 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.SCT30N120
Orderkod2451116
Tekniskt datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation270W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Produktöversikt
The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
Tillämpningar
Industrial, Power Management
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
270W
Product Range
-
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.008051
Produktspårbarhet