Skriv ut sida
RF3L05150CB4
RF FET Transistor, 90 V, 150 W, 1 GHz, LBB
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.RF3L05150CB4
Orderkod3677411
Ditt artikelnummer
Tekniskt datablad
147 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 2 112,000 kr |
| 5+ | 1 943,000 kr |
| 10+ | 1 562,000 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
2 112,00 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.RF3L05150CB4
Orderkod3677411
Tekniskt datablad
Drain Source Voltage Vds90V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation150W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StyleLBB
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tekniska specifikationer
Drain Source Voltage Vds
90V
Power Dissipation
150W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
5Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
LBB
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Flange
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.009072