Skriv ut sida
BUL216
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
393 I Lager
4 800 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 32,720 kr |
| 10+ | 16,250 kr |
| 100+ | 14,690 kr |
| 500+ | 13,240 kr |
| 1000+ | 11,460 kr |
| 5000+ | 9,980 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
32,72 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.BUL216
Orderkod9935193
Tekniskt datablad
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max800V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation90W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktöversikt
The BUL216 is a 800V High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor manufactured using high voltage Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance. It uses a hollow emitter structure to enhance switching speeds. The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- High voltage capability
- Very high switching speed
- High operating junction temperature
- High ruggedness
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Tillämpningar
Lighting, Power Management
Tekniska specifikationer
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
4A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
800V
Power Dissipation
90W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.002041
Produktspårbarhet