Skriv ut sida
MD120HFR120C2S
Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
Tillgänglig för beställning
Standard ledtid för tillverkare: 24 vecka(or)
Meddela mig när artikeln finns i lager igen
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 4 960,000 kr |
| 5+ | 4 861,000 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
4 960,00 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTARPOWER
Tillverkarens art.nr.MD120HFR120C2S
Orderkod2986055
Tekniskt datablad
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produktöversikt
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.294835