Skriv ut sida
GD150HFY120C1S
IGBT Module, Half Bridge, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
21 I Lager
Behöver du fler?
1–3 dagars leverans
Beställ före 17:00 för standardleverans
Antal | |
---|---|
1+ | 599,920 kr |
5+ | 565,450 kr |
10+ | 528,800 kr |
50+ | 509,660 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
599,92 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareSTARPOWER
Tillverkarens art.nr.GD150HFY120C1S
Orderkod2986061
Tekniskt datablad
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current230A
Continuous Collector Current230A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation746W
Power Dissipation Pd746W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produktöversikt
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
230A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation Pd
746W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
230A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation
746W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Teknisk dokumentation (1)
Alternativ till GD150HFY120C1S
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.152861