Skriv ut sida
SCT3160KWATL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
Förpackningsalternativ
1 000 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 10+ | 70,670 kr |
| 50+ | 64,770 kr |
| 100+ | 58,870 kr |
| 250+ | 57,650 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Flera: 1
706,70 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareROHM
Tillverkarens art.nr.SCT3160KWATL
Orderkod4410745RL
Tekniskt datablad
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.208ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation100W
Operating Temperature Max175°C
Tekniska specifikationer
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.208ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
100W
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Japan
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Japan
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000013
Produktspårbarhet