Skriv ut sida
SCT3080KL GC11
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
Lagerförs inte längre
Produktinformation
TillverkareROHM
Tillverkarens art.nr.SCT3080KL GC11
Orderkod2947069
Tekniskt datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation165W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produktöversikt
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Tekniska specifikationer
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247N
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
165W
Product Range
-
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Väntar på råd
SVHC:To Be Advised
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.005