Skriv ut sida
NTHL032N065M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 51 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.NTHL032N065M3S
Orderkod4583072
ProduktsortimentEliteSiC Series
Tekniskt datablad
207 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 101,500 kr |
| 5+ | 88,480 kr |
| 10+ | 75,460 kr |
| 50+ | 71,230 kr |
| 100+ | 67,000 kr |
| 250+ | 62,770 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
101,50 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.NTHL032N065M3S
Orderkod4583072
ProduktsortimentEliteSiC Series
Tekniskt datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
NTHL032N065M3S is a 650V M3S planar SiC MOSFET in a 3 pin TO-247 package. It is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive. Typical applications include SMPS, solar inverters, UPS, energy storages, EV charging infrastructure.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 51A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 114pF)
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Tekniska specifikationer
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
200W
Product Range
EliteSiC Series
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Väntar på råd
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000001
Produktspårbarhet