Skriv ut sida
FGHL50T65MQDT
IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
1 315 I Lager
Behöver du fler?
1–3 dagars leverans
Beställ före 17:00 för standardleverans
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 61,220 kr |
| 10+ | 60,340 kr |
| 100+ | 34,870 kr |
| 500+ | 24,920 kr |
| 1000+ | 22,850 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
61,22 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FGHL50T65MQDT
Orderkod3929765
Tekniskt datablad
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation268W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tekniska specifikationer
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
268W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.00542
Produktspårbarhet