Skriv ut sida
FFSH5065A
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 650 V, 50 A, 147 nC, TO-247
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FFSH5065A
Orderkod2895628
ProduktsortimentEliteSiC Series
Tekniskt datablad
358 I Lager
Behöver du fler?
1–3 dagars leverans
Beställ före 17:00 för standardleverans
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 105,430 kr |
| 5+ | 105,330 kr |
| 10+ | 105,220 kr |
| 50+ | 101,550 kr |
| 100+ | 94,430 kr |
| 250+ | 87,200 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
105,43 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FFSH5065A
Orderkod2895628
ProduktsortimentEliteSiC Series
Tekniskt datablad
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current50A
Total Capacitive Charge147nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktöversikt
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Tekniska specifikationer
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
147nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
50A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.007128
Produktspårbarhet