Skriv ut sida
QSE113
Phototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, Radial Leaded
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
4 498 I Lager
4 000 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
.
.
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 9,760 kr |
| 10+ | 6,820 kr |
| 25+ | 6,220 kr |
| 50+ | 5,610 kr |
| 100+ | 5,010 kr |
| 500+ | 4,110 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
9,76 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktöversikt
The QSE113 is a NPN silicon infrared phototransistor encapsulated in black plastic sidelooker package.
- Daylight filter
- High sensitivity
- Blue dot marking on the top side
- Power dissipation of 100mW
- Operating temperature range from -40°C to 100°C
- Peak sensitivity of 880nm
Tekniska specifikationer
Wavelength Typ
880nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
Radial Leaded
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Viewing Angle
25°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000159
Produktspårbarhet