Skriv ut sida
NDC7003P
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
32 880 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 1,900 kr |
| 500+ | 1,700 kr |
| 1000+ | 1,510 kr |
| 5000+ | 1,310 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
240,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.NDC7003P
Orderkod2454057RL
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id340mA
Continuous Drain Current Id N Channel340mA
Continuous Drain Current Id P Channel340mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
The NDC7003P is a PowerTrench® dual P-channel MOSFET produced using Trench technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Tillämpningar
Industrial, Power Management
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
340mA
Continuous Drain Current Id P Channel
340mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.2ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
340mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.2ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000033
Produktspårbarhet