Skriv ut sida
MUN5311DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
82 400 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 500+ | 0,584 kr |
| 1000+ | 0,522 kr |
| 5000+ | 0,389 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 500
Flera: 5
342,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.MUN5311DW1T1G
Orderkod2464148RL
Tekniskt datablad
Transistor PolarityNPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation385mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
The MUN5311DW1T1G is a dual NPN-PNP Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
Tillämpningar
Industrial, Power Management
Tekniska specifikationer
Transistor Polarity
NPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Base Input Resistor R1
10kohm
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
No. of Pins
6 Pin
Power Dissipation
385mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till MUN5311DW1T1G
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.004536
Produktspårbarhet