Skriv ut sida
MJD127T4G
Darlington Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
4 918 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 5,280 kr |
| 500+ | 4,120 kr |
| 1000+ | 3,720 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
578,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.MJD127T4G
Orderkod2317582RL
Tekniskt datablad
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current8A
Power Dissipation20W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE12hFE
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktöversikt
The MJD127T4G is a 8A PNP bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Tillämpningar
Industrial, Power Management, Automotive
Tekniska specifikationer
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
20W
Power Dissipation
20W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
8A
DC Collector Current
8A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
12hFE
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Alternativ till MJD127T4G
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000473
Produktspårbarhet