Skriv ut sida
FGA50S110P.
IGBT, 50 A, 2.06 V, 300 W, 1.1 kV, TO-3PL, 3 Pins
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
Tillverkas inte längre
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FGA50S110P.
Orderkod3615735
Tekniskt datablad
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage2.06V
Power Dissipation300W
Collector Emitter Voltage Max1.1kV
Transistor Case StyleTO-3PL
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tekniska specifikationer
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
300W
Transistor Case Style
TO-3PL
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.06V
Collector Emitter Voltage Max
1.1kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Nej
RoHS-kompatibel för ftalater:Nej
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.1