Skriv ut sida
FGA50N100BNTDTU
IGBT, 50 A, 2.5 V, 156 W, 1 kV, TO-3PL, 3 Pins
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
Tillverkas inte längre
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FGA50N100BNTDTU
Orderkod3615734
Tekniskt datablad
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation156W
Collector Emitter Voltage Max1kV
Transistor Case StyleTO-3PL
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tekniska specifikationer
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
156W
Transistor Case Style
TO-3PL
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
1kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Nej
RoHS-kompatibel för ftalater:Nej
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.1