Skriv ut sida
FDS8984
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
Tillgänglig för beställning
Standard ledtid för tillverkare: 18 vecka(or)
Meddela mig när artikeln finns i lager igen
| Antal | |
|---|---|
| 2500+ | 2,630 kr |
| 7500+ | 2,490 kr |
Pris för:Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Flera: 2500
6 575,00 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDS8984
Orderkod2323202
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel7A
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.019ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.019ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
The FDS8984 is a dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- Low gate charge
- ±20V Gate to source voltage
- 7A Continuous drain current
- 30A Pulsed drain current
Tillämpningar
Industrial, Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.019ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.019ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000223
Produktspårbarhet