Skriv ut sida
FDS4935A
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 7 A
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
Tillgänglig för beställning
Standard ledtid för tillverkare: 21 vecka(or)
Meddela mig när artikeln finns i lager igen
| Antal | |
|---|---|
| 2500+ | 4,190 kr |
| 7500+ | 4,010 kr |
Pris för:Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Flera: 2500
10 475,00 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDS4935A
Orderkod2438451
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
The FDS4935A is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V to 20V). It is suitable for load-switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- -7A Continuous drain current
- -30A Pulsed drain current
Tillämpningar
Industrial, Power Management
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000221
Produktspårbarhet