Skriv ut sida
MRF101BN
RF FET Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareNXP
Tillverkarens art.nr.MRF101BN
Orderkod2985309
ProduktsortimentMRF101AN; MRF101BN
Tekniskt datablad
607 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 261,690 kr |
| 5+ | 235,950 kr |
| 10+ | 210,090 kr |
| 50+ | 189,020 kr |
| 100+ | 182,560 kr |
| 250+ | 176,430 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
261,69 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareNXP
Tillverkarens art.nr.MRF101BN
Orderkod2985309
ProduktsortimentMRF101AN; MRF101BN
Tekniskt datablad
Drain Source Voltage Vds133V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation182W
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max250MHz
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeMRF101AN; MRF101BN
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
These devices are designed for use in VHF/UHF communications, VHF TV broadcast and aerospace applications as well as industrial, scientific and medical applications. The devices are exceptionally rugged and exhibit high performance up to 250 MHz.
- Mirror pinout versions (A and B) to simplify use in a push-pull, two-up configuration
- Characterized from 30 to 50 V
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch
Tillämpningar
Industrial, Communications & Networking
Tekniska specifikationer
Drain Source Voltage Vds
133V
Power Dissipation
182W
Operating Frequency Max
250MHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
MRF101AN; MRF101BN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0004
Produktspårbarhet