Skriv ut sida
GANB4R8-040CBAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
4 962 I Lager
Behöver du fler?
1–3 dagars leverans
Beställ före 17:00 för standardleverans
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 24,250 kr |
| 10+ | 18,050 kr |
| 100+ | 14,350 kr |
| 500+ | 12,070 kr |
| 1000+ | 11,740 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
24,25 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareNEXPERIA
Tillverkarens art.nr.GANB4R8-040CBAZ
Orderkod4414365
Tekniskt datablad
Drain Source Voltage Vds-
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance-
Typical Gate Charge15.8nC
Transistor Case StyleWLCSP
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins22Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniska specifikationer
Drain Source Voltage Vds
-
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
WLCSP
No. of Pins
22Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
20A
Typical Gate Charge
15.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000001
Produktspårbarhet